半導(dǎo)體
CIGS太陽(yáng)能薄膜電沉積
非晶硅薄膜沉積
CZ晶體生長(zhǎng)
測(cè)溫范圍
250℃ 1800℃
測(cè)溫精度
±1.5℃
光譜響應(yīng)波長(zhǎng)
0.96/1.02μm
重復(fù)性
±0.1℃
測(cè)溫分辨率
0.001℃
響應(yīng)時(shí)間
50 ms